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我國(guó)靶材行業(yè)急需突破人才和技術(shù)瓶頸

  我國(guó)靶材行業(yè)急需突破人才和技術(shù)瓶頸

  集成電路制造工藝的不斷前行,使得無(wú)論在微觀品質(zhì),還是宏觀規(guī)格上,對(duì)靶材的質(zhì)量都提出了越來(lái)越高的要求。集成電路制造工藝的微細(xì)化、濺射用薄膜材料的多元化,要求靶材除了純度高、成分均勻等之外,還主要體現(xiàn)在靶材的致密度、晶粒尺寸、織構(gòu)、電導(dǎo)率和結(jié)合強(qiáng)度等方面的嚴(yán)格要求;同時(shí),隨著晶圓尺寸的逐漸增加,要求靶材尺寸也隨之增大,在大尺寸材料的組織性能均勻性控制、高精度成型加工等方面提出挑戰(zhàn);此外,為了進(jìn)一步提高靶材的使用性能,還需要對(duì)靶材的結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。這無(wú)疑對(duì)國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)提出了新的更高的挑戰(zhàn)。

  雖然近年來(lái)我國(guó)集成電路、平板顯示、太陽(yáng)能電池等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,讓我國(guó)已逐漸成為世界上薄膜靶材大的需求地區(qū)之一,但不可否認(rèn)的是,超高純?yōu)R射靶材仍需從國(guó)外進(jìn)口。

  由于國(guó)內(nèi)超高純?yōu)R射靶材產(chǎn)業(yè)起步較晚,且受到技術(shù)、資金和人才的限制,國(guó)內(nèi)專業(yè)從事超高純?yōu)R射靶材的生產(chǎn)企業(yè)數(shù)量偏少,企業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平參差不齊,多數(shù)國(guó)內(nèi)企業(yè)處于企業(yè)規(guī)模較小、技術(shù)水平偏低、產(chǎn)業(yè)布局分散的狀態(tài),市場(chǎng)尚處于開拓初期,主要集中在低端產(chǎn)品領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)。他指出,面對(duì)激烈的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng),濺射靶材產(chǎn)業(yè)專業(yè)人才的匱乏成為制約國(guó)內(nèi)靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展的痛點(diǎn)!鞍胁牡难兄浦饕窃谄髽I(yè)內(nèi)實(shí)施,各靶材公司為在競(jìng)爭(zhēng)中取得優(yōu)勢(shì),技術(shù)均高度保密,所以該行業(yè)專業(yè)化很強(qiáng),人才選擇局限于為數(shù)不多的靶材公司內(nèi)部。高校及科研院所開展濺射靶材基礎(chǔ)研究及應(yīng)用研究較少,時(shí)間也較短,研究力度也沒有靶材公司大,因此培養(yǎng)的人才,無(wú)論是在數(shù)量上還是水平上都略顯不足!币α娬f(shuō)。他同時(shí)指出,隨著全球制造中心向中國(guó)轉(zhuǎn)移,國(guó)外靶材供應(yīng)商考慮到價(jià)格和交貨期的因素,希望實(shí)現(xiàn)本土化供應(yīng),于是,紛紛在中國(guó)建立加工廠,這無(wú)疑使得國(guó)內(nèi)靶材業(yè)面臨的競(jìng)爭(zhēng)更加激烈!按送,我國(guó)超高純?yōu)R射靶材原材料制備尚需實(shí)現(xiàn)重大突破,原材料品質(zhì)一致性、關(guān)鍵技術(shù)等問題也亟待解決!币α姼嬖V記者。

  以鉭靶材為例剖析行業(yè)普遍存在的問題,國(guó)外同行形成的技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈壁壘,給鉭靶材本土化造成技術(shù)障礙與陷阱,無(wú)法形成反饋機(jī)制。同時(shí),國(guó)外同行的鉭靶材產(chǎn)品技術(shù)成熟穩(wěn)定,具有成本優(yōu)勢(shì),而鉭靶材在國(guó)內(nèi)處于初始階段,生產(chǎn)成本高,不具備進(jìn)入市場(chǎng)的成本優(yōu)勢(shì)。

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